全球闪存峰会FMS 2023：关键词与亮点

上周（8月8-10日），全球闪存峰会FMS 2023在美国加州圣克拉拉举行。许多领先的半导体存储公司和供应商展示了他们的最新产品和技术。谈及存储器市场，尤其是独立存储器市场规模将在2028年增至2560亿美元（2022年为1440亿美元）。

除美光外，大多数领先的内存IDM公司如三星、SK海力士、Solidigm、铠侠、西部数据硬盘都是keynote4的主讲人。他们在巨大的展厅里设有很棒的公司展位来展示新的内存产品，但美光这次没有展位。相反，美光只是在圣克拉拉会议中心附近的圣克拉拉希尔顿酒店安排了两间小型定制会议室。

FMS 2023 中的 15 个关键词

1。内存扩展
2. CXL – 存储
3.内存语义SSD
4. 3D DRAM
5. X-DRAM
6. 321L 4D NAND
7. 218L CBA BiCS
8.LPDDR-FLASH
9. ULTRARAM
10.UCIe1.1
11. PCIe5.0/6.0
12.QLC/PLC
13. 市场价格/库存和复苏
14. 比特增长
15.新的内存层次结构

会议关键词之一：“CXL”。 CXL与包括DRAM和NAND闪存在内的存储设备的组合提供了更大的容量和有竞争力的性能，例如Memory-Semantic SSD、CXL+ BiCS Flash和CXL+ for AI/ML等xml – Flash。内存语义 SSD (MS-SSD) 持久内存 (PMEM) 可以通过提高随机读取速度和减少延迟来将性能提高 20 倍以上，并且可以添加到内存层次结构中。三星特别指出，内存语义SSD具有更大的存储容量、更低的总体拥有成本（TCO），是最适合分层存储解决方案的存储设备。

据媒体报道，SK海力士推出了其突破性的三层321层4D NAND原型机，这是首款超过300层的工作芯片。 SK海力士NAND开发负责人Jungdal Choi评论说，新的器件技术和工艺集成是1）多覆盖校正，2）无应力材料，以及3）具有CTF电池涂层的经济高效的3插塞集成， WL 和 SL 沉积以及 321 层的步进蚀刻。 321L 1Tb TLC 4D NAND开始转移到生产工厂，预计2025年上半年开始量产。顺便说一句，他们刚刚开始量产238L 512Gb TLC（移动设备3月，PC4月） ，数据中心2023年7月），238L 1Tb TLC将于今年第四季度启动。

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如图一，SK Hynix V9 321L 1Tb TLC首款工作芯片（封装）在FMS2023展厅展出

FMS 2023 亮点

• 内存市场状况将在2024年有所改善，但2024年第一季度减产仍将持续。
• 逍侠/西部数据硬盘：新推出的第八代4平面218层BiCS FLASH采用CBA技术，速度为3200Mbps。从第六代开始，水平扩展35%，架构扩展15%
• 三星展示了其PB级PBSSD和内存语义SSD的CXL存储解决方案，具有更好的系统TCO、小粒度访问和持久内存选项，而KIOXIA基于CXL的BICS FLASH和XML -专为 AI/ML、数据库和图形处理而设计的 FLASH。 SK Hynix针对数据密集型应用推出了CXL-BME（带宽内存扩展）、CXL-CME（容量内存扩展）和CXL-CMS（计算内存解决方案）。
• TechInsights的Jeongdong Choe博士在DRAM和3D NAND会议上介绍了DRAM和3D NAND技术的趋势、比较、未来路线图、需求和应用。他还主持了有关 3D NAND 闪存主题的专家会议。
• 英飞凌展示了SEMPER X1，这是世界上第一个LPDDR闪存产品，可通过外部NOR闪存实现实时代码执行。

来自：TechInsights